Gracias a más de 6 años colaborando en actividades de I+D+i con los fabricantes europeos líderes, hemos generado un valioso know-how en el uso de semiconductores con tecnología HEMT de alta frecuencia (SiC y GaN).

Aprovechamos al máximo sus ventajas de esta tecnología para desarrollar todo tipo de etapas ultra-compactas, y con una eficiencia energética claramente superior a otras alternativas convencionales basadas en semiconductores de silicio.